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New Product
Si4170DY
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
30
R DS(on) ( Ω )
0.0035 at V GS = 10 V
0.0045 at V GS = 4.5 V
I D (A) a
30
27
Q g (Typ.)
29 nC
?
?
?
?
Halogen-free
TrenchFET ? Power MOSFET
100 % R g Tested
100 % Avalanche Tested
RoHS
COMPLIANT
APPLICATIONS
? Notebook PC Core
- Low Side Switch
SO-8
D
S
S
1
2
8
7
D
D
S
G
3
4
6
5
D
D
G
Top View
Ordering Information: Si4170DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
S
N-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
30
± 20
30
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
T C = 70 °C
T A = 25 °C
I D
22.8
21.8 b, c
Pulsed Drain Current
Continuous Source-Drain Diode Current
Single Pulse Avalanche Current
Single Pulse Avalanche Energy
T A = 70 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
L = 0.1 mH
I DM
I S
I AS
E AS
17.3 b, c
70
5.4
2.7 b, c
40
80
A
mJ
T C = 25 °C
6
Maximum Power Dissipation
T C = 70 °C
T A = 25 °C
P D
3.3
3.0 b, c
W
T A = 70 °C
1.9 b, c
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 150
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient b, d t ≤ 10 s
Maximum Junction-to-Foot (Drain) Steady State
Symbol
R thJA
R thJF
Typical
33
16
Maximum
42
21
Unit
°C/W
Notes:
a. Based on T C = 25 °C.
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
c. t = 10 s.
d. Maximum under Steady State conditions is 85 °C/W.
Document Number: 68396
S-81054-Rev. A, 12-May-08
www.vishay.com
1
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